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產品介紹
用于產生太赫茲THz的GaSe（硒化鎵）晶體顯示出高達41 THz的大帶寬。GaSe是負單軸層狀半導體，具有62 m點組的六邊形結構，在300 K時的直接帶隙為2.2eV。GaSe晶體具有高損傷閾值，較大的非線性光學系數（54 pm / V），合適的透明范圍和低吸收系數，這使其成為寬帶中紅外電磁波產生的替代解決方案。由于使用低于20 fs的激光源產生和檢測寬帶太赫茲，因此與使用薄的ZnTe晶體相比，GaSe發射器-探測器系統的性能可達到相當甚至更好的結果。為了實現頻率選擇性太赫茲波的產生和檢測系統，應使用適當厚度的GaSe晶體。
產品參數
GaSe晶體
Z切割，開裂，未鍍膜
尺寸：直徑7 mm
厚度：0.01 mm
由于材料結構的原因，可能僅沿（001）平面切割GaSe晶體
津公網安備12010102000950號