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Marana-X 是 Andor 為直接 EUV 和軟 X 射線應用量身定制的開創性 sCMOS 平臺。手工打造，提供好的性能和多功能性 Marana-X 在不到 50 毫秒的時間內讀取 4.2 兆像素高分辨率陣列，同時保持低的讀取噪聲；比類似分辨率的 CCD 探測器快數百倍。
與現有的 CCD 相比，新型 Marana-X sCMOS 在 EUV-1 keV 能量范圍內具有更高的量子效率。 Marana-X 、的量子效率與其CMOS 技術相得益彰，可通過 74 fps 全幀快速實現實驗時間的更小化和更大的數據吞吐量。
- 高達 99% 的 QE 和低噪聲：適合光不足測量的最大信噪比。 更快地實現高對比度。
- 真空冷卻至 -45℃：非常微弱的信號需要更低的本底噪聲和更長的曝光時間：不要受到相機熱噪聲的限制
- 2 百萬像素：高像素分辨率，在擴展視野范圍內保持圖像清晰度。
- 未鍍膜的背照式 sCMOS：Marana-X 采用了無涂層背照式 sCMOS 傳感器，可實現EUV - 軟 X 射線檢測。
- 擴展動態范圍 (EDR) 模式：在整個動態范圍內“一次定量”，在同一圖像中捕獲高強度和低強度圖像。
- 7% 線性度：在整個信號范圍內的定量精度。
- 標配風扇和液體冷卻：液體冷卻可實現更大靈敏度
傳感器類型：背照式科學 CMOS
陣列尺寸：2048 (W) x 2048 (H)
4.2 百萬像素
像素尺寸：6.5 x 6.5 μm
圖像區：13.3 毫米 x 13.3 毫米
（對角線 18.8 毫米）
讀出模式：滾動快門
像素讀出率： 310 MHz（快速高動態范圍模式，16 位）
180 MHz（低噪聲模式，12 位）
量子效率：高達 99%
讀取噪聲 (e-) 中值：1.6 e-（快速高動態范圍模式，16 位）
1.2 電子-（低噪聲模式，12 位）
傳感器工作溫度
風冷：-25°C（max.30°C 環境溫度）
水冷/液冷：-45°C（@16°C 水）
暗電流
風冷 (@-25°C) ：0.15 e-/像素
水冷/液冷 (@ -45°C) ：0.10 e-/像素
有效區域像素井深度：
55 000 e-（快速高動態范圍模式，16 位）
1800 e-（低噪聲模式，12 位，位深度受限）
動態范圍：34 000:1（快速高動態范圍模式，16 位）
數據范圍：16 位（快速高動態范圍模式）
12 位（低噪聲模式）
線性：> 99.7%
PRNU：< 0.5% (@半光范圍)
感興趣區域 (ROI) ：用戶可定義，1 像素粒度，
Min.尺寸 9（寬）x 1（高）
預定義 ROI：1608 x 1608、1200 x 1200、1024×1024、512×512、128×128
像素合并（在 FPGA 上）：2 x 2、3 x 3、4 x 4、8 x 8（也提供用戶可定義的合并）
真空兼容性：>10 mbar
I/O
O：Fire Row 1, Fire Row n, Fire All, Fire Any, Arm
I：外部
觸發模式：內部、外部、外部啟動、外部曝光、軟件
軟件曝光事件：開始曝光 - 結束曝光（第 1 行），開始曝光 - 結束曝光（第 n 行）
圖像時間戳精度： 25 ns
PC 接口：USB 3.0和 CoaXPress
安裝法蘭：DN100CF (ConFlat) 6” O.D.固定法蘭提供 M8 或 5/16 UNC 螺紋孔
原位射線照相
斷層掃描
光譜學
高光譜成像
HHG 源表征
EUV 投影儀
EUV 光刻
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